Троичная ячейка памяти
 |
Возможно, эта статья содержит оригинальное исследование.
Добавьте ссылки на источники, в противном случае она может быть выставлена на удаление.
Дополнительные сведения могут быть на странице обсуждения. (11 мая 2011) |
 |
Необходимо перенести содержимое этой статьи в статью «Троичный триггер».
Вы можете помочь проекту, объединив статьи.
В случае необходимости обсуждения целесообразности объединения, замените этот шаблон на шаблон {{к объединению}} и добавьте соответствующую запись на странице Энциклопедия: К объединению. Пожалуйста, также проверьте историю правок. |
Троичная ячейка памяти используется в электронике, в пневмонике и в других областях.
Традиционно ячейка памяти определяется, как наименьшая часть памяти имеющая свой адрес. При таком определении троичная ячейка памяти может иметь несколько троичных разрядов в зависимости от системы адресации памяти троичной ЭВМ (компьютера).
По элементной основе троичные ячейки памяти могут быть построены
- на триггерах, подобно двоичной SRAM, высокое быстродействие, но дорого из-за большего числа транзисторов на ячейку;
- на конденсаторе с транзистором, подобно двоичной DRAM, быстродействие ниже, но дешевле.
Содержание |
[править] Классификация
[править] Трёхуровневые
В них три потенциала разных уровней (положительный, нулевой, отрицательный) соответствуют трём устойчивым состояниям ячейки
[править] Двухуровневые
В них элементарным устройством является двухуровневый инвертор с двумя потенциалами (высокий, низкий), а троичность работы достигается цепями обратных связей между тремя двухуровневыми инверторами. Такая ячейка памяти называется троичный двухуровневый триггер.
[править] Двухразрядные
[править] Трёхразрядные
[править] Троичная SRAM
Проект троичной SRAM приведён в [1]
 |
Этот раздел не завершён.
Вы поможете проекту, исправив и дополнив его.
|
[править] Троичная DRAM
Троичная DRAM построена, подобно двоичной DRAM, на элементе с одним конденсатором и одним аналоговым ключом, работающим и с положительными и с отрицательными сигналами, но с биполярным зарядом конденсатора. Положительный заряд соответствует одному из трёх состояний, отрицательный второму, а «0» в третьему состоянию. В схемах считывания-регенерации вместо одного компаратора, который делит весь диапазон амплитуд на две части, два компаратора, которые делят весь диапазон амплитуд на три части. Схемы записи при этом подают на ячейки и положительное и отрицательное напряжение.
Элемент такой троичной ячейки DRAM показан на рисунке справа.
Трёхуровневая DRAM, по сравнению с двухуровневой DRAM имеет в 1,5 раза меньшее быстродействие и меньшую помехоустойчивость, но большую ёмкость, что определяет область её применения: медленные, с пониженной помехоустойчивостью, DRAM большой паллетный ёмкости.[2]
[править] См. также
[править] Примечания
 |
Для улучшения этой статьи желательно?:
|
