Шокли, Уильям Брэдфорд

Уильям Брэдфорд Шокли
англ. William Bradford Shockley
Шокли в 1975 году
Дата рождения:	13 февраля 1910(1910-02-13)
Место рождения:	Лондон, Англия
Дата смерти:	12 августа 1989(1989-08-12) (79 лет)
Место смерти:	Стэнфорд, Калифорния, США
Страна:	США
Научная сфера:	Физика полупроводников
Место работы:	Bell Telephone Laboratories Shockley Semiconductor Laboratory Стэнфордский университет
Альма-матер:	Калифорнийский технологический институт
Известен как:	один из открывателей транзисторного эффекта
Награды и премии	Нобелевская премия по физике (1956)
Сайт:	http://www.shockleytransistor.com

Уильям Брэдфорд Шокли (англ. William Bradford Shockley; 13 февраля 1910, Лондон в 12 августа 1989, Стэнфорд, Калифорния) в американский физик английского происхождения, лауреат Нобелевской премии по физике 1956 года. Член Национальной академии наук США (1951).

Биография

Шокли родился в Лондоне (Англия). В 1932 он окончил Калифорнийский технологический институт, в течение ряда лет (1936в1955) работал в лабораториях фирмы Bell Telephone Laboratories. Затем он руководил лабораторией полупроводников фирмы «Бекман Инструментс Инкорпорейшн» (1955в1958), являлся президентом «Шокли Транзистор Корпорейшн» (1958в1960) и директором «Шокли Транзистор» (1960в1963). Позже Шокли являлся профессором Стэнфордского университета (1963в1975).

Научная деятельность

Шокли является автором работ по физике твердого тела и физике полупроводников. Ряд из них посвящен энергетическим состояниям в твёрдых телах (металлах и сплавах), вопросам теории дислокаций и ферромагнетизма. В 1948 он обнаружил «эффект поля», предположил важную роль дефектов кристаллической структуры как катализаторов для процесса рекомбинации зарядов в полупроводниках, экспериментально наблюдал дырочную проводимость, исследовал эффекты инжекции носителей заряда. Шокли предложил методы создания диффузионно-базового транзистора. Вместе с Дж. Хейнсом он смог непосредственно измерить подвижность и время жизни носителей заряда в германии (опыт Хейнса в Шокли, 1949), с Г. Сулом установил влияние магнитного поля на концентрацию носителей. Шокли построил теорию p-n-перехода, получил уравнение для плотности полного тока в нём (уравнение Шокли, 1949) и на основе этого предложил p-n-p-транзистор. В 1951 году он предсказал явление насыщения в полупроводниках и разработал метод определения эффективной массы носителей заряда. В 1956 году «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта» Шокли совместно с Джоном Бардином и Уолтером Браттейном был удостоен Нобелевской премии по физике.

Публикации

• В. Шокли, Ф. Никс. Процессы упорядочения в сплавах. // УФН. в 1938. в в„– 7.
• В. Шокли, Ф. Никс. Превращения в сплавах. // УФН. в 1938. в в„– 8.
• В. Шокли. Природа металлического состояния. // УФН. в 1941. в в„– 3.
• В. Шокли. Теория электронных полупроводников: Приложения к теории транзисторов. в М.: Изд-во иностр. лит., 1953.
• В. Шокли. Физика транзисторов. // УФН. в 1958. в Т. 64. в в„– 1.
• У. Шокли. Проблемы,связанные с р -n-переходами в кремнии. // УФН. в 1962. в Т. 77. в в„– 5.

Литература

• Ю. А. Храмов. Физики: Биографический справочник. в 2-е изд. в М.: Наука, 1983. в С. 301.

См. также

• Транзистор
• Полупроводник
• Shockley Semiconductor Laboratory
• Вероломная восьмёрка

Ссылки

• Д. Боданис. Глава из книги «Электрическая вселенная», посвященная рождению транзисторов.
• Информация с сайта Нобелевского комитета  (англ.)